新洁能250V超快反向恢复SGT MOSFET产品介绍

在通信、电机控制、工业电源等硬开关应用场景中，功率MOSFET的反向恢复特性对系统效率和可靠性具有重要影响。功率MOSFET较大的反向恢复电荷会导致系统效率低、电压尖峰高等一系列问题，制约系统向高性能、高可靠性方向进一步发展。新洁能源推出具有超快反向恢复特性的250V SGT功率MOSFET NCEP025S90T，与上一代产品相比，大幅降低了反向恢复电荷，为高性能、高可靠性要求的硬开关应用提供了更好的选择。

核心优势1.超低反向恢复电荷Qrr

超快反向恢复SGT平台产品NCEP025S90T与通用平台产品NCEP02590T体二极管反向恢复对比测试如表1所示。NCEP025S90T的Trr为67ns，比NCEP02590T降低约58.9%； Qrr为178nC，比NCEP02590T低约86%。较低的Qrr将有效降低硬开关系统中的过冲电压，简化缓冲电路设计并优化系统成本。

表1：NCEP025S90T和NCEP02590T反向恢复对比测试结果

图1：NCEP025S90T和NCEP02590T反向恢复对比测试波形

2.更宽的RRSOA（反向恢复安全工作区）

反向恢复安全工作区是衡量MOSFET体二极管动态续流能力的重要指标。本实验采用双脉冲电路进行测试。测试电路图和测试平台实物图如图2和图3所示。测试方法是将开关管Q1和续流管Q2分别替换为NCEP025S90T和NCEP02590T进行测试。测试过程中，Vgs脉冲宽度T1逐渐增大，T2时段续流管电流也随之增大。当T3上升沿到来时，续流管进入反向恢复阶段。如果此时续流管电流达到其反向恢复能力的上限，就会损坏续流管。记录每次测试T2时段续流管电流ISD以及续流管是否能顺利通过测试。最终测试结果如表2所示。结果表明，NCEP025S90T的反向恢复安全区比NCEP02590T高5倍以上。

注：蓝色字体的数值为器件的电流能力上限和非MOS管的过流能力上限

表2：NCEP025S90T和NCEP02590T RRSOA的对比测试结果

图2：双脉冲测试电路图

图3：双脉冲测试平台实物图

基本特点

与NCEP02590T相比，NCEP025S90T的其他动静态电气参数基本匹配。详细比较结果如表3所示。

表3：NCEP025S90T与NCEP02590T基本动静态参数对比

应用领域

通讯

工业电源

逆变电路

48V-100V电机控制

D类音频放大

命名规则

针对不同场景的应用，新洁能源推出不同系列的产品。 NCEP025S90T中的S表示该产品属于超恢复系列。如果这里没有字母，则表示通用平台系列。