国产内存条哪个牌子好—国产内存条推荐

国产D5大货上架，无惧卡脖，金百达银爵国产DDR5内存体验

期待已久的国产DDR5内存产品终于大批量上市了，国产DDR5内存的上市不仅代表了科技上的重大突破，也意味着某些国际颗粒大厂再也不能随意的拉闸限产搞上游涨价了。

抛开市场意义，单拿产品来说，目前已上市的国产DDR5内存虽然在频率上和海力士DDR5颗粒内存还有些许差距，但也追上镁光、三星DDR5颗粒产品了，最最重要的是价格着实便宜。

比如首批上市的金百达国产DDR5内存银爵6000 16GB*2套条仅需499，6000MHz频率也特别适合当前AMD平台的应用，因此我也是入手了一套。

今天就来看看国产DDR5内存的性能表现究竟如何。

银爵系列也是金百达内存最为经典的一个系列，这里简单过一下开箱。

外包装依旧是金百达内存“祖传”风格，为了给玩家提供极致性价比的产品，在外包装上控制成本也是可以接受的。

包装背面开窗设计，可以看到内存条和以及内存条上的条码标签。从包装右下角的标签可以看到，内存详细型号：6000 C36、16GB*2套条，并且特意强调了国产DDR5颗粒。

金百达银爵系列主打性价比，简约紧凑的金属散热马甲，加上无光设计带来的较低的内存高度，在对内存高度要求严苛的风冷装机方案中拥有明显的兼容性优势。

一体冲压成型的铝合金马甲，不仅增强了设计感，凸起的装饰也能增强马甲表面散热，搭配内部工业级散热硅脂填充，可以更好的为内存颗粒导热散热，确保内存运行稳定。

内存背面贴有产品信息标签，6000MHz频率，单条16GB，时序CL36，该标签也是内存条保修的凭据，不建议撕掉。

银白色的马甲条，不管黑白装机也都能匹配，经典的外观其实无需太多介绍。

本次测试使用的是最新一代AMD平台，技嘉X870冰雕搭配Ryzen 7 9800X3D。

具体配置如下：

CPU：AMD Ryzen7 9800X3D

主板：技嘉X870冰雕

内存：金百达银爵国产DDR5 6000C36 16GB*2

硬盘：宏碁掠夺者GM7 2TB

显卡：NVIDIA GeForce RTX 4070 Super 12GB

电源：安耐美D.F.12 850W白

散热：超频三DS360屏显版

系统：Windows 11 24H2

SPD信息，内存制造商金百达，DRAM制造商也就是颗粒厂商空白，不知道是不可说原因还是软件读取原因，不过有能力商业化的国产DDR5颗粒厂是谁大家都懂。

内存预设一组EXPO/XMP频率，均为6000MHz频率，时序CL36-38-38-86，电压1.35V，电压还是比较低的。原始JEDEC频率为4800MHz频率，时序CL40-40-40-77，电压同样是1.1V。

首先是EXPO/XMP频率测试，重启进入BIOS设置，在频率/电压控制菜单中找到XMP/EXPO Profile，选择EXPO1。

AIDA 64内存性能测试：

读取速度 59272 MB/s；

写入速度 79985 MB/s；

拷贝速度 54385 MB/s；

延迟 81.3 ns。

鲁大师整机性能测试：

整机综合得分：2224198；

处理器得分：925706；

显卡得分：722817；

内存得分：267676。

受内存性能影响比较大，能够反映文件压缩解压缩性能的7Zip基准测试：

压缩得分 131.107 GIPS；

解压缩得分 140.735 GIPS；

总分 135.921 GIPS。

技嘉主板的内存高频宽功能，开启后主板会自动优化内存小参，可以直接一键开启提升内存性能。

AIDA 64内存性能测试：

读取速度 62635 MB/s；

写入速度 86358 MB/s；

拷贝速度 57452 MB/s；

延迟 75.4 ns。

鲁大师整机性能测试：

整机综合得分：2284693；

处理器得分：979372；

显卡得分：714979；

内存得分：299167。

7Zip基准测试：

压缩得分 139.657 GIPS；

解压缩得分 144.436 GIPS；

总分 142.046 GIPS。

以上是在X870+9800X3D平台下测试出来的效能，如果是在intel平台下，Z790和Z890平台会有比较大的差异。从其他专业测评媒体对国产内存的测评内容来看，国产DDR5颗粒内存目前的手动超频空间非常小，因此这里就不做手动超频测试。

那么，对比同频率、采用海力士A-die颗粒的内存，国产颗粒性能表现差距有多大呢？

刚好之前在X870E+9800X3D平台测试过6000CL28频率海力士A-die颗粒内存产品，这里可以作为对比组。

AIDA 64内存性能测试：

读取速度 59543 MB/s；

写入速度 80796 MB/s；

拷贝速度 55667 MB/s；

延迟 77.3 ns。

鲁大师整机性能测试：

整机综合得分：2263120；

处理器得分：974435；

显卡得分：711710；

内存得分：280337。

7Zip基准测试：

压缩得分 131.503 GIPS；

解压缩得分 138.855 GIPS；

总分 135.179 GIPS。

同样开启技嘉高频宽下进行测试对比。

AIDA 64内存性能测试：

读取速度 63371 MB/s；

写入速度 87042 MB/s；

拷贝速度 58973 MB/s；

延迟 70.1 ns。

鲁大师整机性能测试：

整机综合得分：2321198；

处理器得分：1003145；

显卡得分：710924；

内存得分：311412。

7Zip基准测试：

压缩得分 140.374 GIPS；

解压缩得分 144.771 GIPS；

总分 142.573 GIPS。

从AIDA 64内存性能测试可以看到，在AMD X870平台+9800X3D测试下，金百达银爵国产DDR5 6000CL36内存对比海力士A-die 6000CL28内存在读写性能上差距非常小，延迟性能差别也不是特别大，在开启主板高频宽自动优化小参后，金百达银爵国产DDR5 6000CL36内存的读写和延迟性能均有提升，甚至优于海力士A-die 6000CL28内存不开高频宽的表现。

从性能实测来说，国产DDR5内存的表现虽然算不上惊艳，但也足够出色：在6000CL36的预设时序性能表现也是略微弱于海力士A-die 6000CL28产品，最主要的是金百达银爵国产DDR5 6000CL36内存的价格只需499，就显得性价比十分出色了。

对于预算有限，特别是使用AMD平台的DDR5用户，金百达银爵国产DDR5 6000CL36内存还是值得推荐的。

另外，金百达还同时还推出了一样采用国产DDR5颗粒的刃系列产品，喜欢灯条的话可以选择刃系列。

光威弈系列内存：国产之光，闪耀内存市场

当下内存市场，AI 应用爆发让内存需求猛增，内存颗粒厂商转投 HBM 制造，致海力士 Adie 颗粒紧缺、DDR5 内存涨价。在这复杂形势下，国产存储品牌光威携弈系列内存强势出击，为消费者带来多元选择。下面，我们来详细了解弈系列四款明星产品。

弈 DDR4 16G 3200（C22）裸条是主流装机的热门选择。它采用长鑫原厂颗粒，保障性能稳定。3200MHz 频率应对日常办公绰绰有余，处理文档、制作 PPT 或多任务办公软件切换，都流畅不卡顿。对主流游戏玩家来说，运行《英雄联盟》《绝地求生》等网游时，该频率搭配 C22 时序，团战等复杂场景下也能确保游戏画面稳定输出，减少延迟与掉帧。作为裸条，它兼容性强，适配 Intel 和 AMD 主流平台，用户装机无需担忧兼容性问题，简洁设计也契合追求简约或对散热要求不高的用户。

随着专业软件升级和多任务处理需求增长，弈 DDR4 32G 3200（C22）裸条凭借大容量优势脱颖而出。在大型 3D 建模领域，如用 3ds Max、Maya 创建与渲染复杂模型时，32G 内存为存储模型数据和运算临时数据提供充足空间，大幅提升工作效率，减少因内存不足导致的软件卡顿、崩溃。视频编辑同样如此，处理 4K 及以上分辨率素材、添加特效和转场时，这款内存轻松应对。它同样采用长鑫原厂颗粒，3200MHz 频率与 C22 时序搭配，高负载下性能稳定，裸条设计的兼容性优势也让专业用户在搭建工作站时主板选择更灵活。

天策.弈 16GX2 6000（C36）马甲条是光威高性能内存的标杆。1mm 厚铝制一体冲压成型散热马甲，不仅外观时尚，散热性能更是出色，能快速传导颗粒热量，保障内存高负载下稳定运行。它搭载海力士 Mdie 颗粒，6000MHz 高频搭配 C36 – 38 – 38 – 80 时序，性能强劲。追求极致体验的游戏玩家运行《赛博朋克 2077》等 3A 大作时，能享受更快加载速度和更高帧率，画面细腻流畅。专业图形设计和视频编辑领域，高频加速数据读写，大幅缩短渲染、编码时间。此外，它支持 XMP 3.0 和 AMD EXPO 技术，用户一键即可开启性能提升，在 Intel 和 AMD 平台都能发挥优势。

龙武.弈 16GX2 6000 (C36）马甲条凸显国产内存实力与高性价比。它采用国产 DDR5 颗粒，首发 6000MHz C36 32GB（16X2）规格。硬件设计上，加厚 PCB 板优化信号传输，降低电磁干扰；全新 PMIC 电源管理芯片确保电源负载稳定。散热方面，双面显卡级高性能散热硅胶搭配散热马甲，高效散热保证性能稳定。它也支持 XMP/EXPO 一键超频，兼容 AMD 7000/8000/9000 系及 INTEL 12/13/14/ULTRA 系处理器。价格上，相比同规格国际品牌产品优势明显，在内存市场价格波动时，为用户提供了高性价比的优质选择。

光威弈系列这四款内存，覆盖不同用户需求。从主流应用到专业领域，从极致性能到高性价比，以稳定性能、出色兼容性和竞争力价格，在内存市场大放异彩，有力推动国产内存发展。未来，光威有望持续创新，带来更多优质产品，引领国产内存迈向新高度。

光威内存 ￥655购买 <script type=\”text/javascript\” src=\”//mp.toutiao.com/mp/agw/mass_profit/pc_product_promotions_js?item_id=7488370204095922722\”></script>

一线报道，国产存储芯片公司商机来了

文 | 半导体产业纵横

近期，存储芯片市场的价格上涨趋势，引起业内高度关注。

4月15日，在热闹非凡的上海慕尼黑电子展现场，半导体产业纵横作者成功 “捕获” 了多家存储芯片公司的身影。

那么如今存储市场的需求是否恢复？价格涨势是否明晰？哪种细分存储类型最先受到市场青睐？

带着这些疑问，一起听听，来自一线的声音怎么说？

存储行情，这么说

自 4 月 1 日闪迪、美光等存储公司开启涨价以来，截至 4 月中旬，国产存储器市场中其实未有太多涨价声音传出。此前，国产存储公司的零售品牌致态宣布，自 4 月起上调提货价格，涨幅或超 10%，成为这段时期国产存储市场涨价动态的少数代表。

彼时，业内诸多人士心存疑虑：国产存储市场究竟是否即将迎来涨价潮？

先说结论，当前市场中，不同类型存储产品走势各异。中高容量存储市场，因存储产品价格波动，调整幅度较大。于国内市场而言，除两家存储芯片龙头企业外，其余厂商主要在中低容量市场展开竞争。这一市场竞争态势尤为激烈，但价格波动敏感度较低。

在这次展会中，笔者访问了三家国产存储芯片展商，以下是来自市场一线的一些看法。

兆易创新主要存储产品包括NOR Flash、SLC NAND Flash和 DRAM 三个部分。

关于当前国产存储芯片的市场行情，兆易创新表示，全球存储市场规模约1500亿美元，但SPI NOR Flash的市场规模大概只有30亿美元，且主要是用于存储代码，它主打可靠性高、容量范围广、读取性能高等特点。再从需求端来说，每一个电子设备大概都需要1~2颗SPI NOR Flash芯片。

SPI NOR Flash芯片价格会随市场波动进行小幅调整，但波动幅度有限，因此这类产品或许不会如整个存储市场般敏感。

聚辰半导体的主要存储产品包括EEPROM和NOR Flash。

聚辰半导体表示，存储需求其实一直都在呈现稳步增长态势，但国产存储市场竞争激烈，以技术相对成熟的 EEPROM 为例，近年来吸引了更多国产公司涉足该领域。

东芯半导体的主要存储产品包括NAND Flash、NOR Flash、DRAM等。

东芯半导体也表示，国际存储厂商此番涨价，主要集中在高规格 eMMC、高规格 NAND 以及高规格 DRAM 产品等领域。与之形成鲜明对比的是，国产厂商大多深耕中低容量市场。此市场不仅体量有限，而且入局玩家众多，竞争异常激烈。

存储公司，下一个增长点在哪？

日前，东芯半导体副总经理陈磊指出，目前超九成存储芯片市场份额被国外存储厂商占据，但国产存储企业在利基型DRAM市场的商机正在显现。

“利基型DRAM涵盖DDR3、小容量DDR4及低功耗产品，市场规模约为100亿美元。当前，国际主流存储供应商在该领域的市场份额不足5%。随着这些供应商逐步退出利基型市场，国内存储供应商迎来了宝贵的发展机遇。”陈磊分析称。

那么，关于Flash市场未来的商机在哪里？

在与这三家公司的对话中，有这样一个应用领域，被三次精准提及。

东芯半导体指出，自 2020 年起，NOR Flash 需求于低谷中逐步复苏，在 AIoT 场景中表现尤为明显。NAND Flash 商机主要集中在安防监控、智能穿戴等传统应用领域，这些领域对存储容量的需求正不断增长。东芯半导体特别强调，在未来的汽车应用里，NOR Flash 需求相较于传统燃油车将超 10 倍，汽车领域无疑会成为强劲的增长点。

东芯半导体提到，近年来国产存储企业纷纷朝着工控、医疗、车载等高规格存储领域进军，意图从竞争白热化的小容量市场突围，转向高毛利、高可靠性的应用场景。谈及车载存储芯片营收占比，东芯半导体称，因车载芯片验证周期长、导入难度大，目前车载存储贡献的营收占比尚低，不足 10%。不过，未来几年，公司计划将这一比例提升至 20% 以上 。

兆易创新表示，短期看，AI手机/PC放量直接拉动NOR Flash用量；长期看，XR、AI眼镜等新兴场景叠加汽车电子放量正打开增量空间。

在影响价格的因素中，消费电子行业需求减弱是关键因素。电子产品换新周期延长，致使消费类存储需求受到抑制。尽管汽车电子产品单价较高，在一定程度上缓解了消费市场的不利影响，但汽车用存储整体需求仍低于消费电子。

不过，汽车电子未来存储需求增长趋势明确，特别是对高性能、高容量车用存储的需求正不断增加，兆易创新也在持续提升自身汽车业务占比。数据显示，2023 年兆易创新 SPI NOR Flash 全球市场份额为 19.1%，位居全球第二；到 2024 年，这一份额已提升至 20.4%。

对于聚辰半导体存储产品的未来增长点，其认为:

对于EEPROM来说，其未来增长点主要体现在两方面，一方面汽车电子的需求直接拉动EEPROM的需求，另一方面随着 DDR5 内存模组渗透率不断提高，SPD 配套芯片市场快速增长，进一步拉动EEPROM的需求。目前公司已与澜起科技合作开发 DDR5 内存模组的 SPD 产品，下游客户覆盖主要内存模组厂商。

而对于NOR Flash来说，未来汽车应用的高需求会明显拉动市场增长。聚辰半导体表示，公司基于NORD 工艺平台已开发了一系列车规级NOR Flash产品，具备强大的性能优势，同时也在规划完善更大容量NOR Flash产品系列，该产品将逐渐成为新的增长点。

可以看到，在这两条产品线的未来规划中，车规级芯片均是一个关键词。

存储公司，盯上汽车

随着新能源汽车的推广和智能化趋势的不断演进，尤其在新的电子电气架构下，国产车规级芯片的市场规模不断扩大。

而在本次展会中，汽车存储芯片成为了上述三大存储芯片公司重点关注的领域之一 。

兆易创新，车载存储方案来了

此次，兆易创新携90余款产品及解决方案亮相2025慕尼黑上海电子展。

本次展品阵容涵盖存储器、微控制器、传感器、模拟芯片等全系产品线，覆盖数字能源、工业、汽车、消费电子以及物联网等重点领域。

其中车载存储产品是本次的亮点之一。

兆易创新的GD25/55车规级SPI NOR Flash和GD5F 车规级SPI NAND Flash为汽车前装市场以及需要车规级产品的特定应用提供高性能、高可靠性的闪存解决方案，目前全球累计出货量已突破两亿颗。

在此次展会中，便可一窥该系列产品真容。

GD25/55车规级SPI NOR Flash已通过ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证，容量覆盖齐全，并具有读取速率高和可靠性高等特点，支持ECC算法与CRC校验，满足车规等级Grade 1要求，支持105°和125°温度规格。

本次展会重点展示了其在芯驰、联阳ITE、欧冶半导体等国内外主流汽车平台上的成熟应用，全面覆盖智能座舱、数字仪表、智能车灯控制等车载场景。

芯驰X9智能座舱方案，搭载的就是兆易创新GD25LF128J车规级SPI NOR Flash，其存储容量为128Mbit，支持单通道，双通道，四通道STR及四通道DTR模式，时钟频率最高可达166MHz STR ，104MHz DTR，支持ECC纠错功能。该智能座舱方案主要针对360°环视系统、语音唤醒等常见车载应用场景中，能够实现快速启动、快速唤醒等功能。

欧冶智能车灯的方案，搭配的是一款3V的GD25F256F的Flash，存储容量为256Mbit，支持单通道，双通道，四通道STR及四通道DTR模式，时钟频率最高可达166MHz STR ，104MHz DTR，支持ECC纠错和CRC检错功能，广泛应用与智能车灯，电子后视镜的方案中。

联阳ITE9868车载仪表的方案，搭配3V的GD25B512MF的Flash，这是一款容量比较大的产品，其容量为512Mbit，支持单通道，双通道，四通道模式，时钟频率最高可达133MHz，广泛应用与仪表，HUD和扶手屏的方案中。

聚辰半导体EEPROM，引人驻足

聚辰半导体的车规级EEPROM等产品也吸引了大量观众驻足。

聚辰的EEPROM和NOR Flash芯片已通过AEC Q100 Grade 1车规认证，具备极高的可靠性。其中，GT24C64E-2UDLA1-TR芯片已应用于前视后视模块，GT25Q16A-UEDLA1-TR芯片已应用于DMS模块，GT25Q80AUEDLA1-TR产品已应用于OMS模块。

而在此次展示中，聚辰推出的两款明星产品有Automotive EEPROM–GT25A1024A和Automotive NOR Flash–GT25Q40C。

其中Automotive EEPROM–GT25A1024A已应用于车载OBC和VCU 等相关模块，内置ECC的功能，满足汽车应用零失效的要求，产品擦写次数、数据保持、功耗和速度等主要参数可与国外的同类产品媲美。

GT25A1024A的产品特性包括完全兼容工业标准的SPI接口协议、支持常温下400万的擦写次数、数据可保持100年、已通过AEC-Q100 Grade 1车规认证、已应用于车厂客户。

Automotive NOR Flash–GT25Q40C广泛应用于车载摄像头和中控屏模块，并在功耗、数据传输速度、LU、ESD等其他关键性能指标方面达到国际前沿水平。

GT25Q40C的产品特性包括存储容量达4M、工作电压为1.65~3.6v、最高数据传输速度达416Mb/s、数据保持达50年、Latch up为650mA、ESD为6.5KV、现已通过AEC-Q100 Grade 1车规认证。

东芯半导体，也有车载方案展出

东芯半导体的SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP系列均有产品通过AEC-Q100测试，适用于更严苛的车规级应用环境，并实现车规级产品销售。具体应用场景包括ADAS、激光雷达、HMI、IVI、T-BOX等。

此次，东芯半导体也有部分车载存储方案展出。

上图所展示的应用为东芯半导体2Gb 3.3V SPI/PPI NAND Flash在麦思美车载信息娱乐系统中应用方案。

东芯股份表示，未来将在满足客户工业级应用需求的基础上，将产品可靠性标准逐步向车规级推进，以顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展可靠性要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的国产化目标。

可以看到，从大容量存储到定制化解决方案，国产存储厂商在技术创新与市场拓展中正展现出强劲势头。未来，随着人工智能、云计算、物联网、大数据等产业的快速发展带来存储的需求持续提升，将为存储提供更加广阔的发展空间。