存储市场价格波动不断,近两月 DRAM 和 NAND 价格持续下降;2021存储涨价

存储主流存储现货、合约价格脱钩持续，24H2下游景气度分化（2024年8月）

资料来源：中信证券研究

文徐涛王子元程子英

对于主流存储，我们认为24Q2-Q3主流存储合同价格与现货价格的脱钩反映了下游消费需求的复苏弱于预期。下半年消费需求仍有待观察，企业级需求预计仍将保持高位。对于利基存储，我们预计利基存储热潮将温和复苏。 SLC NAND Flash价格预计将保持稳定或温和上涨。 NOR Flash 价格和利基DRAM（DDR3、DDR4）可能保持稳定。中长期来看，我们看好小众DRAM国产化率将持续提升。

内存价格：

DRAM：8月份环比-6%~+9%。进入三季度，存储现货市场需求依然较为平淡，消费需求持续疲软，高端服务器依然保持高景气； 8月合约价格继续上涨，仍与现货价格走势脱钩。具体来说：1）DDR5合约价上涨9%，现货价格小幅上涨； 2）DDR4现货价格多数下跌，合约价格小幅上涨，整体环比-6.29%~+5.08%。

8月份NAND Flash（晶圆）价格环比下跌8%至0%。 TLC现货价格自2024年5月以来首次下跌。6月和7月价格总体稳定，8月再次下跌，256/512Gb分别下跌7.98%/2.51%。 TLC、MLC合约价格连续4个月保持稳定或小幅上涨，8月合约价格保持稳定。

存储模组：8月份模组价格走势继续分化，环比范围在-11%至+0%之间，其中DDR5内存模组和OEM SSD价格保持坚挺。 1）内存模组：DDR5合约价环比维持不变； DDR4行业市场价格环比持平，渠道市场持续下跌。 2）SSD：消费市场需求减弱，渠道市场价格持续下跌；企业层面需求旺盛，行业市场价格环比保持稳定。 3）移动存储：受消费市场需求低迷影响，eMMC价格环比持续下跌，UFS价格在稳定两个月后也出现下跌。

利基存储：景气温和复苏，看好国内厂商盈利能力的改善。价格方面，上半年部分小众DRAM、SLC NAND Flash、小容量NOR Flash价格小幅上涨；需求方面，上半年消费市场需求强劲，其他细分领域温和复苏，24Q2工业市场部分领域恢复出货；供应方面，我们预计在小众DRAM领域原厂持续投入DDR5和HBM的背景下，短期内DDR3和部分DDR4库存可能会被淘汰，但中长期供应量将逐渐减少。

价格展望：预计24H2主流存储价格涨幅将收窄或小幅下滑，小众存储价格将基本保持稳定。

对于主流存储和晶圆端，我们预计24Q3主流存储DRAM、NAND合约和现货市场价格走势将继续脱钩。据CFM预测，24H2手机终端出货量将放缓，PC OEM厂商普遍愿意调整存储库存。考虑到下游实际需求的恢复，我们预计24季度合同价涨幅可能进一步收窄或小幅下滑。人工智能驱动的高端HBM价格预计将继续上涨。组件方面，整体营收利润率正在减弱。 AI服务器相关企业级市场持续高景气，相关高端DDR5、SSD模组产品价格有望持续上涨。

对于利基存储，我们预计利基存储热潮将温和复苏。 SLC NAND Flash价格预计将保持稳定或温和上涨。 NOR Flash 价格和利基DRAM（DDR3、DDR4）可能保持稳定。中长期来看，我们看好小众DRAM国产化率将持续提升。

台湾厂商高频数据：

8月份，台湾小众存储厂商代表旺宏（NOR/SLC NAND）、华邦（NOR/SLC NAND/DRAM）和南亚科（DRAM）月度营收同比保持增长，环比表现好坏参半。旺宏同比+4%，环比+12%；华邦同比+9%，环比-1%；南亚同比+9%，环比+2%；存储芯片代工SMC同比持续改善，同比+14%，环比+4%。 8月存储模组厂商营收表现走弱，威刚同比+2%，环比-1%；十铨同比增长66%，环比增长-27%；存储控制芯片厂商群联电子8月营收同比+20%，环比+2%。

危险因素：

下游需求恢复不及预期；存储芯片价格波动的风险； AI渗透率不及预期；行业竞争加剧；新技术研发缓慢；国际地缘政治冲突等

投资建议：

1）对于主流存储，我们认为24Q2-Q3主流存储合同价格与现货价格脱钩，反映出下游消费需求复苏弱于预期。下半年消费需求仍有待观察，企业级需求预计仍将保持高位。 TrendForce预计24H2主流存储合约价格涨幅将继续趋同。 Q3-Q4 DRAM（不含HBM）合约价将分别上涨8~13%/3~8%，NAND Flash合约价将分别上涨5~10%/-5~0%。

2）对于利基存储，我们预计利基存储热潮将温和复苏。 SLC NAND Flash价格预计将保持稳定或温和上涨。 NOR Flash 价格和利基DRAM（DDR3、DDR4）可能保持稳定。中长期来看，我们看好小众DRAM国产化率将持续提升。

建议关注：1）受益于DDR5升级渗透的存储配套芯片； 2）存储芯片设计： 3）存储模块。

本文摘自中信证券研究部2024年9月22日发布的《存储行业深度追踪系列第11期（2024年8月）—主流存储现货、合约价格脱钩持续，24H2下游景气度分化》报告，详细分析内容（包括相关风险提示等）请参阅报告。报告内容如有歧义，以发布当日的报告完整内容为准。

DRAM内存价格“滑坡”，三星、美光等企业持续承压

依靠不断上涨的内存价格，三星连续两年超越英特尔成为半导体行业的领导者。不过，最近NAND闪存和DRAM内存的价格波动让三星的地位不太稳固。

根据TrendForce内存存储研究（DRAMeXchange）的调查显示，2019年智能手机和服务器的需求将低于最初预期。此外，CPU短缺仍将对笔记本电脑出货量产生轻微影响。受此影响，eMMC/UFS、SSD等产品的出货量可能不及预期，且下滑势头难以止住。

集邦咨询资深分析师吴雅婷在接受第一财经采访时表示，目前DRAM价格快速下跌的趋势并未改变。第二季度价格下跌近30%，第三季度将继续下跌20%左右。由于目前产品库存依然较高，降价销售是韩国厂商必须采取的策略，这也会影响韩国厂商的营收表现。

“第二季度NAND Flash的价格下跌了10%到20%，目前预计第三季度的跌幅在10%左右。”集邦咨询研究助理陈杰伟告诉记者。

目前，三星、SK海力士和美光在DRAM行业的市场份额超过90%。其中，韩国企业三星和SK海力士在DRAM行业的市场份额超过70%，是韩国半导体行业的“晴雨表”。

记者注意到，在产业通商资源部日前公布的6月出口数据中，韩国出口总额同比下降13.5%至441.8亿美元，连续第七个月下降，创三年零五个月来最大降幅。半导体出口下降25.5%。从出口地区和国家看，对中国和东盟出口下降，其中对华出口下降24.1%，创2009年5月以来最大数值。

近两年，随着智能手机等终端设备的崛起，中国市场消耗了全球DRAM和NAND高达20%和25%的份额，成为内存需求量最大的国家。 2017年，中国存储芯片进口额为889.21亿美元，较2016年的637.14亿美元增长39.56%。

据悉，手机中存储的成本已经达到25%-35%。 2017年，由于存储芯片价格快速上涨，引发了包括手机、固态硬盘、内存条等产品接连涨价，其中内存条一年内疯狂涨价300%。炒记忆棒被称为“比炒房地产更赚钱的生意”。 ”

但今年以来，由于供应过剩，内存价格开始下滑。

韩国半导体工业协会相关报告显示，2019年2月，8GB系统内存DRAM（动态随机存取存储器）全球市场单价为5.9美元，较2017年同期下降36.8%，而128GB闪存NAND Flash全球市场单价为5美元，较去年同期下降25.2%。显然，情况还在恶化。

另一大存储巨头美光科技也面临着巨大的挑战。

6月25日，美光发布2019财年第三财季财报，财报数据显示，其营收、净利润、营业利润均同比大幅下滑，尤其是净利润下滑高达78%，主要受市场需求和价格下滑影响。同时，由于贸易争端的不利影响，美光本季度减记了与华为相关的库存4000万美元。

具体来说，2019财年Q3季度，美光的DRAM营收约占总营收的64%，营收环比下滑19%，同比下滑45%。 NAND营收约占总营收的31%，营收环比下滑18%，同比下滑25%。为了进一步改善市场供需，美光决定将NAND Flash晶圆减产比例从原来的5%提高到10%，同时还将减少2020年的资本支出。

值得注意的是，在价格波动之际，这是否是国内厂商投产的机会呢？分析师表示，内存投资仍需谨慎对待。

该人士表示，存储领域的突破非常困难，现在距离“崛起”还很远。除了流程更加成熟之外，当前形势下，国际技术来源、知识产权、国际合作、国际人才引进等方面都将面临更多的制约和挑战。 “几年前推出的内存项目，有多少真正投入量产？其中有多少符合您之前提到的时间表？ ”

半导体研究公司IC Insights总裁兼首席执行官比尔·麦克林(Bill McClean)曾在接受采访时表示，三星、海力士和美光在涉及专利侵权问题时往往会视而不见。理论上来说，由于它们都拥有如此庞大的专利库，彼此之间的专利之争是没有意义的。 “但如果一家新公司进入市场，他们不会给予这种优惠待遇，”麦克林说。 “对于三星和海力士来说尤其如此。

可见，三星多次发起“反周期法”价格战，导致DRAM领域大部分厂商破产，逐渐形成DRAM领域只有少数厂商垄断市场的局面。不过，三星能够通过其他业务部门注入资金，渡过低迷期。