宏碁EV—宏碁ev-s21t投影仪
1152个分区演绎的光影艺术——飞利浦EVNIA 34M2C7600MV电竞显示器
电竞游戏装备已成为DIY中最重要的子品类。很多传统硬件品牌甚至成立了相应的子品牌独立运营，比如大家熟知的技嘉的AORUS、华硕的ROG、AOC的AGON、宏碁的Predator等。去年第四季度，飞利浦显示器还发布了其游戏显示器子品牌：EVNIA。 34M2C7600MV是该品牌的首款杰作。它能否打破玩家对传统游戏显示器的固有印象，建立自己独特的品牌基调？我们通过这款代表性产品来寻找答案。
产品参数分辨率：34401440
刷新率：165Hz
面板类型：VA
背光类型：Mini LED
分区数量：1152
面板尺寸：34英寸
显示比例：21:9
响应时间：2.5ms
亮度：关闭HDR：720cd/
对比度：3000:1
像素间距：0.237150.23715mm
可视角度：178/178
颜色位深：8bit+FRC
像素密度：109.68PPI
HDR认证：DisplayHDR 1400
曲率尺寸：1500R
接口类型：HDMI 2.12、DisplayPort 1.41、USB Type-C1、USB Type-A4
参考价格：7499元
早在10年前，飞利浦就为其高端显示产品推出了独特的光影技术：Ambiglow。当时的中文名称是：流光溢彩。该技术首先应用于飞利浦电视，后来应用于Gioco G Cool 系列显示器。 Ambiglow 现在将其称为“环境光”技术。虽然名称变了，但其技术原理却没有变。该技术的核心是在显示屏后面安装环绕环境光。然后，照明控制器可以逐帧采样显示屏的图像颜色，不断调整发出的光的颜色和亮度以匹配图像的颜色，然后将其投射到显示屏后面的墙壁上，形成光影效果。这样的设计可以在视觉上放大屏幕显示，仿佛显示画面进一步延伸，有助于减轻眼睛疲劳，特别适合观看电影和游戏。
EVNIA 34M2C7600MV采用了1500R曲面屏，21:9的比例非常适合游戏。
经过10多年的迭代升级，Ambiglow的功能越来越丰富。例如，EVNIA 34M2C7600MV显示器总共配备了28个LED灯，其中底部有14个，背面的左侧、右侧和顶部总共有14个LED灯。它不仅可以根据屏幕图像输出相应的光影效果，还可以通过扬声器输出有节奏的光影。该显示器配备两个5W立体声扬声器，并带有DTS音效，可以带来声音、画面、灯光节奏同频的视听体验。
EVNIA 34M2C7600MV背面和底部总共配备了28颗LED灯，这是Ambiglow“环境光”技术的核心。
EVNIA 34M2C7600MV左右两侧底部配备了5W（合计10W）扬声器，支持DTS音效。
EVNIA 34M2C7600MV 的OSD 菜单具有专为Ambiglow 灯光效果设计的调整选项。在“灯光模式”中，可以选择“光影同步”、“光声同步”、“跑马灯”、“彩波”、“呼吸光”、“星光”和“静态模式”共7种模式。切换到Ambiglow Setting后，还可以对光效的颜色、光位、亮度、光响应速度进行更细致的调整。当然，您也可以关闭Ambiglow 灯光效果。
EVNIA 34M2C7600MV的Ambiglow“环境光”可以根据显示或声音智能调节颜色和亮度。
使用时，如果在暗光环境下，Ambiglow 的照明效果会更好。同时，我将光速调整为“高”后，显示器屏幕上呈现的画面可以与Ambiglow灯效显示的速度保持一致，可以很好地延伸画面。需要注意的是，展示位置建议距离墙壁10cm到15cm，最好是白墙，效果更佳。
EVNIA 34M2C7600MV可以通过菜单个性化Ambiglow“环境光”
除了调节Ambiglow灯光效果外，EVNIA 34M2C7600MV菜单还内置SmartImagegame功能，供有游戏需求的用户使用。该功能预设有标准、FPS、赛车、RTS、电影、低蓝光、轻松阅读、经济、SmartUniformity 和自定义游戏模式。 SmartUniformity 是飞利浦独特的智能亮度均匀技术。通过对屏幕25个区域的独立测量和调整，可以保证整体屏幕具有97%以上的亮度均匀度，让用户无需额外的色彩校正即可获得合适的屏幕亮度和色彩一致性。更适合对色彩一致性有较高要求的专业领域用户。
EVNIA 34M2C7600MV的游戏模式可以调节Adaptive Sync（FreeSync）、准星、Dark Boost（黑暗增强）、低输入延迟、SmartResponse（智能调节响应时间）、智能灯。其游戏辅助功能比较丰富。
由于EVNIA 34M2C7600MV定位为游戏显示器，因此它还拥有独立的游戏模式，提供Adaptive Sync（FreeSync）、十字准线、Dark Boost（黑暗增强）、低输入延迟、SmartResponse（智能调整响应时间）和智能灯。其中，智能神灯可以调节屏幕特定区域的亮度和对比度。例如，在游戏中的黑暗场景中，可以通过增加该区域的亮度和对比度来发现隐藏的敌人。
EVNIA 34M2C7600MV的接口部分配备了2个HDMI 2.1、1个DisplayPort 1.4、1个USB Type-C和4个USB Type-A接口。其中，USB Type-C可以传输图像和声音，同时支持高达90W的反向充电。
EVNIA 34M2C7600MV 是一款Mini LED 背光游戏显示器。 Mini LED通常有多个分区，以提高明暗对比度。在菜单中，显示器提供Local Dimming区域调光功能。与其他一些显示器不同，使用此功能之前需要先打开Windows HDR，然后才能打开局部调光。它提供了3 个级别：弱、中、强。级别越低，光晕现象控制得越好。而EVNIA 34M2C7600MV拥有4608个灯珠和1152个背光分区。从实际体验来看，即使将区域调光级别打开到最高级别后，演示画面中的星空光晕或水波纹光晕现象也得到了很好的控制。另外，开启局部调光后，白屏边缘会出现轻微泛黄的情况。这是目前所有Mini LED显示屏都面临的问题。
EVNIA 34M2C7600MV在系统中开启HDR后会自动激活显示器的HDR功能，并提供多种模式和标准可供选择。
EVNIA 34M2C7600MV的区域调光功能只有在开启HDR后才能开启。
另外，在Windows系统中开启HDR后，EVNIA 34M2C7600MV菜单中的HDR功能将自动激活。 EVNIA 34M2C7600MV的HDR提供多种模式和标准：游戏、电影、Vivid、DisplayHDR 1400，并且可以进行个性化设置。如果系统和显示器开启HDR 后屏幕出现发白问题，建议使用Microsoft Store 提供的“Windows HDR 校准”应用程序来校准屏幕。显示屏幕的色彩将会得到改善。
我有使用EVNIA 34M2C7600MV 到《古墓丽影：暗影终极版》 的游戏经验。体验之前，我打开了HDR功能，切换到游戏模式，并打开了G-SYNC Compatible功能。进入游戏后可以看到，这款显示器34401440的分辨率可以很好的适应各种大型游戏。另外，游戏过程中需要开启游戏内HDR。玩游戏时，得益于34英寸21：9的大“带鱼屏”以及1500R的大曲率，显示器带来的视觉冲击力和沉浸感非常强。同时，开启HDR带来的明暗对比效果也非常明显，非常适合《古墓丽影》系列这样的游戏。
与我以往体验过的其他HDR显示器不同，EVNIA 34M2C7600MV的HDR在色彩方面也有了很大的提升。不仅没有泛白现象，甚至可以看到画质的饱和度得到了提升，色彩失真更小。您可以明显感受到飞利浦对EVNIA 34M2C7600MV的调节技巧。此外，它还支持165Hz高刷新率，可以在游戏中带来更流畅的画质体验。
使用EVNIA 34M2C7600MV来对比游戏中开启HDR后的画质与未开启HDR的画质，显然开启HDR的画质效果更加明显。
另外，如果你喜欢玩《CS：GO》 《使命召唤》这样的枪战游戏，我强烈建议打开显示器的十字线功能，这对新手玩家很有帮助，可以提高爆头率。尤其是在开启Ambiglow光效之后，游戏中的图形甚至可以给人一种向四面八方延伸的错觉。
EVNIA 34M2C7600MV采用34英寸VA面板，背光类型为Mini LED，拥有4608个灯珠和1152个分区，相当于每4个灯珠分为1个分区。非HDR状态下最大亮度为720cd/m，分辨率为34401440。该显示器具有更多的分区，可以更精确地控制灯光。我们进入显示器的工程模式并搜索网络信息，但找不到有关EVNIA 34M2C7600MV的面板信息。可以确定的是，该面板支持8bit色深，通过FRC技术可以达到10bit。如果您使用的是NVIDIA 显卡，可以通过驱动程序面板中“更改分辨率”下的“使用NVIDIA 颜色设置”将输出颜色深度更改为“10bpc”。这时，通过Windows高级显示设置可以看到“位深度”已经从8位变成了10位。此外，该显示器还在背光层添加了QD量子点薄膜，以增强色彩表现，这也是许多Mini LED显示器的常见做法。从主观体验来看，EVNIA 34M2C7600MV的色彩表现非常好，色彩过渡非常均匀柔和，颜色也非常鲜艳。
在颜色方面，我将显示器恢复为出厂设置。在“标准”模式下，我将色温设置为标准6500K，Gamma设置为2.2，将亮度调整到最高，预热至少1小时后进行色彩分析。同时根据Spyder 的数据，EVNIA 34M2C7600MV 的色彩准确度也非常出色，最大值为2.69（最不准确），最小值为0.42（最准确），平均值为1.14。高色彩准确度甚至可以满足一些专业应用场景。
EVNIA 34M2C7600MV的sRGB、AdobeRGB、DCI-P3色域覆盖面积分别达到100%、90%、95%。
EVNIA 34M2C7600MV的色彩准确度最大值为2.69（最不准确），最小值为0.42（最准确），平均值为1.14。
实测EVNIA 34M2C7600MV最大亮度达到747.6cd/m，暗场最大亮度为0.24cd/m，对比度为3100:1。亮度比普通显示器高一倍。如果是HDR模式，亮度会更高。亮度和对比度测试数据甚至超过了官方标称值。另外，在亮度均匀性方面，最大差异值为5%，可见面板均匀性表现也非常出色。另外，EVNIA 34M2C7600MV的色调响应输出光曲线基本与Gamma 2.2重合，达到Gamma 2.1。另外，其色温维持在6350K~6450K，数值变化不大，比较稳定。
EVNIA 34M2C7600MV的最大亮度达到747.6cd/m，暗场最大亮度为0.24cd/m，对比度为3100:1。
EVNIA 34M2C7600MV亮度均匀度最大差异为5%
作为飞利浦高端品牌的首发阵容，EVNIA 34M2C7600MV在产品设计、做工、功能、显示性能等方面都保持了飞利浦一贯的高标准。它不仅应用Ambiglow“环境光”技术，还采用Mini LED背光，分区数高达1152个，丰富的游戏辅助功能和超过90%色域覆盖区域的显示表现。可以说，EVNIA 34M2C7600MV是一款具备所有配置的全能游戏显示器。目前，这款显示器在电商平台官方旗舰店售价为7499元。非常适合追求平衡性能和高品质的游戏玩家。
【Computex 2024】Acer Copilot + PC AI 登场 同步推出 SpatialLabs 3D
一年一度的Computex台北国际电脑展即将登场，但事实上，一年一度的Computex系列活动在发布会前就已陆续展开。本周末（6/1~6/2），来自台湾的全球知名电脑品牌宏碁率先举办了Computex新品预览，为今年的Computex台北国际电脑展预热。在新品预览活动上，宏碁不仅带来了首款搭载Snapdragon的Copilot+ PC Swift 14
宏碁首款Copilot+ PC Swift 14是微软与高通联合打造的全新AI笔记本产品。计划有两款型号，SF14-11和SF14-11T，分别搭载Snapdragon X1P-64-100处理器（10核，最高3.4GHz，支持高达45TOP的高通Hexagon NPU AI引擎），其显示芯片为高达3.8 TFLOPS的高通Adreno显示芯片；其他硬件规格包括32GB LPDDR5X-8533MHz内存，以及高达1TB NVMe PCIe Gen 4 SSD存储设备。新款Swift 14 AI笔记本采用铝合金材质，机身厚度14.9mm，重量1.36Kg。它拥有14.5英寸2,560 x 1600 IPS级触控显示屏，具有120Hz屏幕更新率、16:10显示比例、100% sRGB色域覆盖等规格。值得一提的是，宏碁这次在屏幕盖上做了全新的设计。首先，它将Acer Logo从中央移至右上角，并在左上角添加了独特的镜像AI图标。
显示屏边框中央配备了1440p QHD IR 摄像头、镜头防窥片和三麦克风配置。用户可以通过Windows Studio效果自动改善光线条件，同时过滤不必要的环境噪音，提高视频会议的音视频质量。他们还可以通过快速设置在不同的音视频平台上快速设置三种艺术滤镜，并且红外摄像头和物理镜头屏蔽可以大大提高用户的安全性和隐私性。
除了今年早些时候推出的AI笔记本电脑上配置的独立Copilot按钮外，宏碁还在触摸板的右下角放置了一个与屏幕盖相同设计的独特AI图标。它还具有活动指示灯配置。只要用户打开Copilot或者NPU正在运行，灯就会自动闪烁。这也是专门为Copilot+ PC添加的特殊设计。
活动现场，Brian还试用了Copilot+ PC内置的全新AI应用功能。第一个是带有实时翻译的实时字幕功能。只要打开YouTube等视频进行播放，并开启实时字幕功能，字幕就会自动出现，并且可以调整字幕的位置，不影响观看体验。目前支持约40种翻译语言，未来数量还会不断增加。我自己看了一下中英文翻译，准确率在90%左右，毕竟中文有点博大精深，还是有一些成语或者意思不同的单词无法准确翻译成英文。第二个AI功能是全新的“审阅功能”。该功能允许AI自动记录用户对笔记本电脑的使用情况，包括打开文件夹、应用程序、网页浏览器、搜索照片等，这些都可以记录在回顾中，并且用户可以通过个性化和安全设置来决定要记录的程序。如果用户想要查找某个内存，只需要输入一个关键字，系统就能找到包含该关键字的所有步骤、流程等信息。使用起来相当方便。
第三个Cocreator是一款视频应用程序，可以根据图像或文本在设备上生成AI图像和文本作品。用户可以通过左边的画板简单地画出一个集合图案（但也不是完全无法识别），然后让AI通过右边的文字描述进行计算来生成。例如，这次的实际体验是在3分钟左右生成一张沙漠中仙人掌的图片（包括绘图和文字输入），计算性能相当出色。此外，Swift 14 AI还拥有自动超分辨率（Auto Super Resolution），可以在游戏中实时自动提高图像分辨率和屏幕刷新率，以及当前AI笔记本电脑上具备的视频屏幕背景模糊、光线优化、声音降噪等AI功能。看来下半年开始将会出现大量的AI应用。至于这款Acer Copilot+ PC Swift 14 AI，预计会在下半年推出。目前的详细规格和价格要等到上市日期确定后才会公布。
宏碁近年来大力推广的SpatialLabs 3D应用，今年也将应用于医学教学和诊疗领域。通过软硬件的配合，可以提升医学教学和诊疗效率。以前，我们去眼科或骨科，无论拍X光片还是断层扫描，往往都要回家等报告才能返回医生处。现在，通过专用的AI辅助筛查软件，可以结合之前推出的27英寸Predator SpatialLabs View显示屏，让医生直接进行诊断和治疗，无需等待太长时间，而3D显示屏也可以提高教学效率，让学生更有效地了解眼睛结构。
此外，已经存在多年的SpatialLabs TrueGame应用程序目前支持100多种商用游戏。无需安装额外的3D内容或插件，就可以通过SpatialLabs View观看高清3D游戏图像，并且不需要佩戴各种形式的3D眼镜。《快打旋风 7》 用于现场游戏这是目前正在测试的最新游戏，未来将添加到支持的游戏阵容中。不仅在专业或娱乐领域得到支持，SpatialLabs裸眼3D技术还针对专业创作者不断优化。例如，使用Blender进行3D绘图或建模时，您可以通过外部显示屏在更大的屏幕上工作，并且可以更无缝地在3D和2D图像之间切换。
现场备受关注的一款新手机是宏碁为强化SpatialLabs生态链而推出的SpatialLabs Eyes 3D双镜头相机。其机身尺寸为104 x 65.4 x 23.2毫米，重量仅为220克，配备1500mAh可充电锂电池。它采用双镜头配置，焦距为3.0mm，相当于一般单镜头相机的21mm焦距。内部感光元件为1/2.8英寸CMOS。它可以拍摄高达7,680 x 2,160（SBS 或SBS + 左+ 右）3D 照片和7,680 x 2,160 @ 30 SBS 视频。它还可以用作网络摄像机，最大图像分辨率为3,840 x 2,160。 @60 SBS HDR。可以看到，SpatialLabs Eyes 3D双镜头相机采用了弧形机身设计。两个镜头之间的距离为63mm。黑色配色和哑光质感涂层可以减少指纹和油渍的产生，同时也增加了握持稳定性。
两枚镜片中央还设有磁力自拍镜，不使用时可倒置存放。
机身顶部可以看到电源开关按钮和快门按钮配置，左侧是立体声麦克风配置。 SpatialLabs Eyes 3D双镜头相机具有中央重点自动对焦、自动/手动（2,300K~10,000K）白平衡、自动/手动（100 1600）灵敏度、触摸对焦、最大快门速度1秒、最小快门速度1/2000秒，并内置6轴陀螺仪稳定、IMU稳定和用于视频拍摄的EIS电子图像稳定。
机身右侧保护盖内有MicroSD存储卡插槽和USB-C充电口。不过这款3D双镜头相机采用内置电池设计，略显遗憾。存储卡支持U1及以上规格，但原厂建议使用U3规格进行拍摄。
SpatialLabs Eyes 3D 双镜头相机的标准型号是ASEC-1。机身背面可以看到一块2.41英寸的触摸屏，分辨率为640480，PPI规格为332。我个人认为触摸屏的尺寸与机身比例相比有点小。如果是较小的运动相机，这个屏幕尺寸还可以接受，而且它还具有-2EV到+2EV的功能，屏幕右侧只有一个播放按钮，只有安装Micro SD存储卡时才能按下。凹槽设计是为了增加手持拍摄的握持感。
Acer SpatialLabs Eyes 3D 双镜头相机可用作一般日常摄影和视频录制的相机。它还可以通过机身上的USB 3.2 Gen 2 端口连接到Predator SpatialLabs View 显示器，直接输出3D 捕获的图像。这其实也是宏碁近年来大力推广SpatialLabs 3D技术的主要目的，就是将这一应用融入到日常生活中的各种场景中。但说实话，SpatialLabs Eyes 3D 双镜头摄像头拍摄的3D 图像和视频不仅可以在支持SpatialLabs 的笔记本电脑或显示屏上观看，而且还使用左右复合3D 成像技术，因此以相同方式生成的3D 设备，例如Meta Quest 3 VR 设备，都可以浏览和播放。
当然，SpatialLabs Eyes 3D双镜头摄像机也可以用作网络摄像机，但使用此应用程序拍摄或录制视频的限制比普通摄像机要大得多。毕竟，对方必须拥有支持SpatialLabs的笔记本电脑或显示屏，并且还必须拥有SpatialLabs Eyes 3D。这只有双镜头相机才能实现，但现场体验到的实际三维效果确实不错，但可能无法像使用视频时那样大范围移动身体或头部，否则3D画面很容易失败。
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
（报告制作/作者：民生证券、方静）
1.1 优质的新型半导体衬底材料半导体材料按时间可分为三代。第一代采用锗、硅等常见单一材料制成，特点是易于开关，一般用于集成电路。第二代是砷化镓、磷化铟等化合物半导体，主要用于发光和通讯材料。第三代半导体主要包括碳化硅、氮化镓等化合物半导体，以及金刚石等特殊元素。碳化硅材料凭借其优异的物理和化学性能，逐渐在电力和射频器件领域开辟应用。第三代半导体具有更好的耐压性能，是高功率器件的理想材料。第三代半导体主要是碳化硅和氮化镓材料。 SiC的带隙宽度为3.2eV，GaN的带隙宽度为3.4eV，远远超过Si的带隙宽度1.12eV。由于第三代半导体一般具有更宽的带隙，因此具有更好的耐压和耐热性，常用于高功率器件。其中碳化硅已逐渐进入大规模使用。在功率器件领域，碳化硅二极管和MOSFET已经开始商业化应用。
基于以上特点，内衬碳化硅的功率器件比硅基功率器件在性能上更具优势：（1）高压特性更强。碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍以上，使得碳化硅器件的耐高压能力明显高于同等硅器件。 (2)更好的高温特性。碳化硅比硅具有更高的导热率，使器件更容易散热，并具有更高的极限工作温度。耐高温可以显着提高功率密度，降低对散热系统的要求，让终端变得更轻、更小。 (3)能量损失较低。碳化硅的饱和电子漂移率是硅的2倍，使得碳化硅器件具有极低的导通电阻和低导通损耗；碳化硅的带隙是硅的3倍，使得碳化硅器件的漏电流明显小于硅器件，从而降低功率损耗；碳化硅器件关断过程中不存在电流拖尾，开关损耗低，大大提高了实际应用的开关频率。根据ROHM的数据，同规格的碳化硅基MOSFET的导通电阻是硅基MOSFET的1/200，尺寸是硅基MOSFET的1/10。对于相同规格的逆变器，使用碳化硅基MOSFET的系统的总能量损耗比使用硅基IGBT的系统的总能量损耗不到1/4。
碳化硅优异的频率和散热特性使其在射频器件中得到广泛应用。
应用。碳化硅、 氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的 2.0、2.5 倍，因此碳化硅、氮化镓器 件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而 碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较差的缺点，因此业 界采取半绝缘型碳化硅做衬底，在衬底上生长氮化镓外延层后制造射频器件。 按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化 硅衬底两类，这两类衬底经外延生长后分明用于制造功率器件、射频器件等分立器 件。其中，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件、光电器件等。通 过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进 一步制成 HEMT 等氮化镓射频器件。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。 与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上， 需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造肖特 基二极管、MOSFET、IGBT 等功率器件。 外延工艺是指在碳化硅衬底的表面上生长一层质量更高的单晶材料，如果在 半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，则称为异质外延；如果在导电型碳化硅 衬底表面生长一层碳化硅外延层，则称为同质外延。 外延层的生长可以消除衬底生长中的某些缺陷，生长的外延层质量相对较好。 碳化硅晶体生长的过程中会不可避免地产生缺陷、引入杂质，导致衬底材料的质量 和性能都不够好。而外延层的生长可以消除衬底中的某些缺陷，使晶格排列整齐。 例如衬底缺陷中的 BPD（基平面位错）约 95%转化为 TED（贯穿刃型位错），而 BPD 可导致器件性能退化，TED 基本不影响最终碳化硅器件的性能。1.2 碳化硅功率器件性能优异由于碳化硅材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、高热导 率等特点，碳化硅是功率器件理想的制造材料。当前碳化硅材料功率器件主要分为 二极管和晶体管，其中，二极管主要包括肖特基二极管（SBD）、结势垒肖特基二 极管（JBS）、PiN 功率二极管（PiN）；晶体管主要包括金属氧化物半导体场效应 晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、结型场效应晶体管（JFET）、双 极型晶体管（BJT）、晶闸管。 碳化硅 MOSFET 主要分为平面结构和沟槽结构。平面型碳化硅 MOSFET 的 结构特点是工艺简单、单元的一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制 在靠近 P 体区域的狭窄的 N 区中流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄 生电容较大。 沟槽型碳化硅 MOSFET 是将栅极埋入基体中，形成垂直的沟道，这种结构的 特点是可以增加单元密度，没有 JFET 效应，沟道晶面实现最佳的沟道迁移率，导 通电阻比平面结构要明显的降低；缺点是由于要开沟槽，工艺变得复杂，且单元的 一致性较差，雪崩能量比较差。 沟槽型碳化硅 MOSFET 专利壁垒较高。目前国际上量产平面型碳化硅 MOSFET 的碳化硅厂商主要有 Wolfspeed、意法半导体、Microsemi、罗姆等， 国内量产的有 APS、瀚薪、派恩杰、清纯半导体等 Fabless 厂商。而目前可量产的 SiC 沟槽结构较为稀缺，全球量产沟槽型碳化硅 MOSFET 的仅有罗姆的双沟槽结 构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构等。 相比平面型 MOSFET，沟槽型碳化硅 MOSFET 在成本和性能上都具有较强 优势。以罗姆的第三代碳化硅 MOSFET（第一代沟槽型碳化硅 MOSFET）为例，其芯片面积仅为罗姆第二代平面型碳化硅 MOSFET 的 75%，且同一芯片尺寸下其 导通电阻降低了 50%。而罗姆的第二代沟槽型碳化硅 MOSFET 相比第一代沟槽型 碳化硅 MOSFET 导通电阻亦可再降低 40%。1.3 星辰大海，蓝海市场空间广阔最早商业化碳化硅产品的是美国的 CREE 公司，其发展历史具有较强的代表 性。碳化硅的产业化基本可分为三个阶段，第一阶段是碳化硅 LED 的诞生及商业 化，第二阶段是射频器件的商业化，第三部分是功率器件的商业化。2002 年 CREE 推出商用肖特基二极管、2011 年推出商用碳化硅 MOSFET 是行业两个重要的发 展节点。2019 年特斯拉在 Model3 新能源汽车上应用碳化硅 MOSFET 产品更是 将行业热情进一步推向高点。CREE 的碳化硅器件项目 2021 年前主要由旗下子公 司 Wolfspeed 负责，目前 CREE 已经出售 LED 业务，并更名为 Wolfspeed，主 营业务变更为碳化硅射频及功率器件。 碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达到 89 亿美元，其中用于新能源汽车和工业、能源的 SiC 功率器件市场规模为 60 亿美元，用于射频的 SiC 器件市场 规模为 29 亿美元。碳化硅在功率及射频器件领域具备较强的优势，具备较强的应 用价值，有望在新能源汽车、工业和能源、射频市场逐步完成对硅基器件的替代。 根据 YOLE 的预测，碳化硅的市占率有望在 2024 年突破 10%。 第三代半导体战略意义重大，世界各个国家和地区均在努力推进发展工作。欧 洲的 SPEED 计划、MANGA 计划，美国的 SWITCHES 计划、NEXT 计划，日本 的新一代功率电子项目都是意在通过政府资助和企业加强投资的方式推动新一代 化合物半导体落地的计划，背后都具有明显的战略意图。第三代半导体的重要性各 国都已明确，中国早在 2016 年的“十三五”规划中就将碳化硅和半导体照明列入 重点项目，随后科技部、发改委等四部门又将碳化硅衬底技术列入重点突破领域。 我国亦在大力推动碳化硅行业发展，国资不断支持国内厂商立项融资。2018 年国内碳化硅相关的投资项目签署额仅 50 亿元，到 2020 年已达 463 亿元，且其 中有接近 90%的项目有政府参与，表明了国家对该领域的大力支持。1.4 碳化硅产业链价值集中于上游衬底和外延碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件设计、器件制造、封测等。从工艺流 程上看，碳化硅一般是先被制作成晶锭，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬 底；衬底经过外延生长得到外延片。外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步 骤制造成器件。将晶圆切割成 die，经过封装得到器件，器件组合在一起放入特殊 外壳中组装成模组。 碳化硅产业链价值集中于上游衬底和外延环节。根据 CASA 的数据，衬底约 占碳化硅器件成本的 47%，外延环节又占据 23%，制造前的成本占据全部成本的 70%。而对于 Si 基器件来说，晶圆制造占据 50%的成本，硅片衬底仅占据 7%的 成本，碳化硅器件上游衬底和外延价值量凸显。由于碳化硅衬底及外延价格相对硅片较为昂贵，碳化硅功率器件现阶段渗透率较低。然而，由于碳化硅器件高效率、 高功率密度等特性，新能源汽车、能源、工业等领域的强劲需求有望带动碳化硅渗 透率快速提升。 碳化硅衬底的尺寸不断增大，当前国际主流尺寸为 6 英寸，正在向 8 英寸迈 进。自从 1991 年第一块商用碳化硅衬底诞生，目前全球主要厂商的衬底尺寸已达 到 6 英寸。而全球碳化硅领域龙头 CREE 公司（现更名为 Wolfspeed）已于 2015 年推出了 8 英寸碳化硅衬底，并于 2022 年 4 月宣布其位于美国纽约州莫霍克谷 （Mohawk Valley）的全球最大 8 英寸碳化硅制造设施正式开业。 单片衬底面积的增长有利于制造成本的下降，同时器件制造过程中衬底边缘 的浪费也将下降。根据 Wolfspeed 数据，一片 6 英寸碳化硅衬底可以产出 448 颗 die，边缘损失为 14%；而一片 8 英寸碳化硅衬底可产出 845 颗 die，边缘损失下 降至 7%，衬底利用率更高。 中国企业在单晶衬底方面以 4 英寸为主，目前国内企业已经开发出了 6 英寸 导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。其中天科合达和天岳先进为主的碳 化硅晶片厂商发展速度较快，市占率提升明显，三安光电（北电新材）在碳化硅方 面也在深度布局。2.1 新能源汽车占据碳化硅最大下游应用市场按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化 硅衬底两类，这两类衬底经外延生长后主要用于制造功率器件、射频器件等分立器 件。 其中，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型 碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成 HEMT 等氮化镓射频器件。 导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不 同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅 外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT 等 功率器件。 导电型衬底在功率器件中得到广泛应用，下游市场包括新能源汽车、光伏、高 铁、工业电源等领域。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件，功率器件是电 力电子行业的重要基础元器件之一，广泛应用于电力设备的电能转化和电路控制 等领域，涉及经济与生活的方方面面。碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、 低损耗等性能，较好地契合功率器件的要求，因而在近年被快速推广应用，例如新 能源汽车、光伏发电等领域。 碳化硅功率器件目前主要应用于逆变器中。逆变器是一种将直流信号转化为 高压交流电的装置，在传统硅基 IGBT 逆变器中，其基本原理为利用方波电源控制 IGBT 的开关，使得原来的直流电路输出方波高电压，经过整形模块的整形后形成 正弦电压，即交流电。由于输出电压和输出频率可以任意控制，所以逆变器被广泛 用于控制交流电机和无刷电机的转速，是新能源发电、不间断电源、电动汽车、轨 道交通、白色家电、电力配送等领域不可或缺的功率转换装置。 汽车是碳化硅功率器件最大的下游应用市场。根据 YOLE 的数据，2021 年全 球碳化硅功率器件市场规模为 10.90 亿美元，其中应用于汽车市场的碳化硅功率 器件市场规模为 6.85 亿美元，占比约为 63%；其次分别是能源、工业等领域， 2021 年市场规模分别为 1.54 亿、1.26 亿美元，占比分别为 14.1%、11.6%。 未来随着碳化硅器件在新能源汽车、能源、工业等领域渗透率不断提升，碳化 硅器件市场规模有望持续提升。根据 Yole 的预测，2027 年全球碳化硅功率器件 市场规模有望达 62.97 亿美元，2021-2027 年 CAGR 达 34%；其中汽车市场碳 化硅功率器件规模有望达 49.86 亿美元，占比达 79.2%，汽车仍为碳化硅功率器 件下游第一大应用市场。 碳化硅在电动汽车领域主要用于：主驱逆变器、车载充电系统(OBC)、电源转 换系统(车载 DC/DC)和非车载充电桩。根据全球碳化硅领域龙头厂商 Wolfspeed 公司的预测，到 2026 年汽车中逆变器所占据的碳化硅价值量约为 83%，是电动 汽车中价值量最大的部分。其次为 OBC，价值量占比约为 15%；DC-DC 转换器 中 SiC 价值量占比在 2%左右。此外，电动汽车充电桩也是 SiC 器件的一大应用领 域。 碳化硅 MOSFET 在电动汽车主驱逆变器中相比 Si-IGBT 优势明显，虽然当 前 SiC 器件单车价格高于 Si-IGBT，但 SiC 器件的优势可降低整车系统成本：（1） 由于碳化硅 MOSFET 相比硅基 IGBT 功率转换效率更高，根据 Wolfspeed 数据， 采用碳化硅 MOSFET 的电动汽车续航距离相比硅基 IGBT 可延长 5-10%，即在 同样续航里程的情况下可削减电池容量，降低电池成本。（2）碳化硅 MOSFET 的 高频特性可使得逆变器线圈、电容小型化，电驱尺寸得以大幅减少，而可听噪声的 降低可以减少电机铁损。（3）碳化硅 MOSFET 可承受更高电压，在电机功率相同 的情况下可以通过提升电压来降低电流强度，从而使得束线轻量化，节省安装空间。 车载充电机(OBC)为电动汽车的高压直流电池组提供了从基础设施电网充电 的关键功能，通过使用车载充电器可将电网中的交流电转换为直流电对电池进行 充电，OBC 是决定了充电功率和效率的关键器件。对于电动汽车车载充电机来说， 碳化硅 MOSFET 相比 Si 基器件同样具有系统优势： （1）更低的系统成本。虽然 SiC 器件相较于 Si 基器件价格较贵，但是使用 SiC 器件的 OBC 可以节省磁感器件和驱动器件成本，从而降低系统成本。 （2）更高的峰值效率。OBC 中使用 SiC 器件后充电峰值效率较使用 Si 基器 件的系统提升 2 个点。 （3）更大的功率密度。使用 SiC 器件的系统功率密度较 Si 基器件提升约 50%， 从而减少 OBC 的重量和体积。 DC-DC 转换器是转变输入电压并有效输出固定电压的电压转换器。车载 DC/DC 转换器可将动力电池输出的高压直流电转换为低压直流电，主要给车内动 力转向、水泵、车灯、空调等低压用电系统供电。未来随着电动汽车电池电压升至 800V 高压平台，1200V 的 SiC MOSFET 有望被广泛应用于 DC-DC 转换器中： （1）首先，OBC 与 DC-DC 等功率器件集成化趋势明显，22KW 车载充电机 中，DC-DC 转换器与 OBC 有望集成。（2）其次，双向 DC-DC 转换器中，SiC 的高速恢复特性最为合适； （3）为能够适配原 400V 直流快充桩，搭载 800V 电压平台的新车须配有额 外 DC-DC 转换器进行升压，进一步增加对 DC-DC 的需求。 全球新能源汽车销量不断增长，头部厂商逐渐采用碳化硅器件。根据工信部的 数据，2021 年全球新能源车销量为 675 万辆，同比增长 108%；其中，中国新能 源汽车市场持续突破，2021 年销量达 352 万辆，同比增长 160%以上。 特斯拉是业界首个在电动汽车中采用碳化硅主驱逆变器模块的车企，2018 年， 特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块。当前越来越多的车厂正 在转向在电驱中使用碳化硅 MOSFET 器件，目前除特斯拉 Model3 外，还有比亚 迪汉 EV、比亚迪新款唐 EV、蔚来 ES7、蔚来 ET7、蔚来 ET5、小鹏 G9、保时捷 Tayan 和现代 ioniq5 等车型已经在电驱中采用了碳化硅器件。 在光伏发电领域，由于使用 SiC 器件可以降低光伏发电系统损耗，未来随着 碳化硅器件成本的不断降低，碳化硅器件有望逐步替代硅基器件，市场规模有望不 断提升。在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左右， 却是系统能量损耗的主要来源之一。而根据天科合达招股书显示，使用碳化硅材料， 可将转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命 提升 50 倍。根据 CASA 预测，在 2025 年，碳化硅功率器件占比将达到 50%，相 比 2020 年增长 40 个百分点，并将持续扩大占比。 此外，碳化硅材料可以显著提升列车牵引系统节能效果，符合轨道交通大容量、 轻量化和节能型牵引变流装置的应用需求，有望在轨道交通中得到广泛应用。同时， 由于碳化硅抗高温高压高频的特性，完美切合智能电网发展需求，被应用在固态变 压器、柔流输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电系统等应用方面推动智 能电网的发展和变革。虽然 2018 年碳化硅在轨道交通的应用占比仅为 2%，但 CASA 预测在 2030 年碳化硅在轨道交通功率器件的应用占比将达 30%，渗透率 不断提升。2.2 汽车高压平台升级，800V 时代 SiC 成为刚需800V 快充系统推动汽车平台升级。新能源汽车行业一个亟待解决的问题就是 “里程焦虑”，提升充电速度就需要提升充电桩的输出功率，则需要提升充电电压 或电流。根据 Wolfspeed 数据，当前我国商用的主流快充充电桩的功率为 100~150KW，电动汽车充电 400KM 里程所需的时间为 40~27 分钟。若充电桩 采用 350KW 大功率快充系统，400KM 里程所需充电时间可大大缩短至 12~15 分钟。 提升充电功率可以通过提高电流或者电压两种方式来实现。然而，如果通过提 升电流来增大充电功率，会带来以下问题：（1）根据功率计算公式，电流的提升会 导致系统功率损耗增大；（2）电流增大，根据焦耳定律系统发热会加剧，冷却系统 成本增高；（3）所需线束更粗，线束重量将增大。因此提升电压以实现大功率快充 成为行业的多数选择。 电动汽车升级 800V 平台，Si-IGBT 模块面临挑战。虽然使用硅基 IGBT 的功 率模块同样可以做到 1000V 以上的耐受电压，但其仍存在以下缺点：（1）400V 的 Si-IGBT 模块将不再适用，即使换成耐高压的 Si-IGBT，其在 800V 高电压平台 上仍然存在着损耗高、效率低、体积大的缺点；（2）800V 平台上所用 Si-IGBT 数 量要明显大于 400V 平台，车内空间更加紧张。此时， SiC 器件由于自身高耐压 性、低损耗、高功率密度、高热导率等优势，成为 800V 时代新能源汽车的刚需。 如果采用碳化硅系统，800V电动汽车的整车效率将得到显著提升。根据PCIM Europe 的研究，按照 WLTC 工况测试，基于 750V 硅基 IGBT 模块及 1200V 碳 化硅模块仿真，400V 电压平台下，1200V 碳化硅模块相比于 750V 硅基 IGBT 模 块，整车损耗可降低 6.9％；然而在 800V 高压平台下，整车损耗可降低 7.6％。 此外，由于碳化硅器件功率密度更大，采用碳化硅器件的电动汽车、充电桩可以在 较小的体积内达到较大的功率，从而节省车内空间，减轻车身重量。 为了提升电动汽车充电速度、缓解里程焦虑，越来越多的整车厂布局 800V 高 压平台。保时捷 Taycan 是全球首款量产的 800V 高压平台车型，并将最大充电功率提升至 350KW。此外，奥迪 e－tron GT、现代 Ioniq 5 和起亚 EV6 都采用了 800V 高压平台。与此同时，国内的车企亦纷纷向 800V 高压平台迈进。2021 年， 比亚迪、吉利、极狐、广汽、小鹏等都陆续发布了搭载 800V 平台的车型，其中小 鹏、比亚迪等 800V 高压车型有望 2022 年量产。800V 平台的推广有望推动 SiC 器件在电动汽车中的渗透率快速提升。 对于直流快速充电桩来说，充电电压升级至 800V 同样带来充电桩中的 SiC 功 率器件需求大增。电动汽车直流快速充电桩绕过安装在电动汽车上的车载充电机， 直接为电池提供大功率直流充电。相比传统 Si 和 IGBT 器件，基于 SiC 的器件由 于具有工作温度更高、导通损耗更小、漏电流更低、浪涌耐受能力更强、最大额定 电压更高，以及整体功率密度更高的特点，可实现更好的充电性能。2.3 半绝缘型碳化硅衬底广泛应用于射频器件领域同属于第三代半导体的氮化镓同样拥有良好的宽带隙特性，同时其兼具第二 代半导体的高频特性，是制造半导体射频器件的良好材料。目前主流的射频器件材 料有砷化镓、硅基 LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。其中，砷化镓器件已在 功率放大器上得到广泛应用，硅基 LDMOS 器件也已在通讯领域应用多年，但其 主要应用于小于 4GHz 的低频率领域。碳化硅基氮化镓射频器件同时具备了碳化 硅的高导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，随着信息技术产业 对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越 来越广泛。 氮化镓射频器件正在取代 LDMOS 在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应 用。根据 Yole 预测，至 2025 年，功率在 3W 以上的射频器件市场中，砷化镓器 件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基 LDMOS 份额，占据射频器件市场约 50%的份额。 在应用方面，5G 通信推动着碳化硅成为射频器件的主流材料。5G 通讯高频、 高速、高功率的特点对微波射频器件提出了更高要求，对目前采用的砷化镓和硅基 LDMOS 器件提出了挑战。不同于砷化镓和硅基 LDMOS 器件的固有缺陷，如高 频段性能差、功率效率较差等。由于半绝缘型碳化硅衬备的氮化镓射频器件在 高频段表现良好、能抗高温高压，具有高功率处理能力，已逐步成为 5G 时代较大 基站功率放大器的候选技术。 伴随全球氮化镓射频器件市场规模的增长，半绝缘型碳化硅衬底市场预有望 持续增长。半绝缘型衬底主要用于 5G 基站、卫星通信、雷达等方向，随着 5G 建 设的加速，尤其是 Massive MIMO 技术的推广，碳化硅基氮化镓器件市场规模不 断扩大。根据 YOLE 的数据，2020 年封装的氮化镓射频器件市场规模约为 8.91 亿 美元，其中超过 99%都是采用碳化硅衬底，到 2026 年，这部分市场规模有望增 长至 22.22 亿美元，年复合增速 17%。3.1 全球衬底产能紧缺，SiC 与 IGBT 双雄并驱当前新能源汽车、光伏、储能等领域对 SiC 器件需求强劲，其中新能源汽车将 消耗掉全球大部分 SiC 衬底产能，全球衬底产能持续紧缺。 以特斯拉 Model 3 为例，根据特斯拉 Model 3 主驱逆变器拆解来看，其中 包括六个模块，每个模块由 4 个 SiC 小模块并联，型号为意法半导体的 ST GK026。 拆开封装来看，每颗 SiC 小模块有 2 个 SiC 裸晶（Die），因此该逆变器共有 48 颗 电压/电流规格为 650V/100A 的 SiC MOSFET 芯片，单芯片的面积约 33 平方毫 米。 一片 6 英寸 SiC 衬底面积约 17663 平方毫米，根据 Wolfspeed 数据，生产 32 平方毫米大小 SiC MOSFET 过程中 6 英寸衬底边缘损耗为 14%，我们假设 60% 的器件制造良率，则单片 6 英寸衬底可产出约 276 个良品，则单片 6 英寸衬底可 供应约 5.75 辆新能源车的主驱逆变器。根据中研网数据，2022 年全球新能源乘 用车的销量有望达到 1000 万辆左右，若主驱逆变器全部采用 SiC MOSFET，则 共需约 174 万片 6 英寸 SiC 衬底。而目前全球 SiC 衬底总年产能约在 40 万~60 万片等效 6 英寸，SiC 衬底产能持续紧缺，SiC MOSFET 与 Si-IGBT 将在未来长 期并驾齐驱。
用户评论
终于入手了宏碁EV-S21T投影仪！超棒的效果，在家也能享受影院级别观影体验！分辨率高，色彩饱和度也很好看。移动方便，自带wifi，连接电脑或手机都很方便。性价比真的很无敌!
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买这款宏碁EV-S21T投影仪前一直犹豫，因为一些评论说它的亮度不够高，但实际体验下，挺好的啊！晚上在家里看电影完全没问题的，白天关掉灯还能看个新闻什么的。总体来说很满意!
有7位网友表示赞同！
买了几个月了，宏碁EV-S21T投影仪真给我惊喜！色彩相当漂亮，无论是观影还是玩游戏都很流畅。关键是体积小巧，搬着特别方便。朋友来我家都夸我家的影院很棒！
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怎么说呢？这款宏碁EV-S21T投影仪对我来说有点过于简陋了，远程功能就只有基本的按键控制，没有app之类的智能操作，功能很有限啊！希望后续可以更新一下系统吧！
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想找一个体积小巧的投影仪在家用，结果选了一个宏碁EV-S21T。感觉性价比真的高呀！投影清晰度高，颜色表现出色，就是有时候光线不太好，亮度不够明显一点。
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之前一直用自带屏幕的小电视看东西，感觉屏幕太小了，而且想感受一下大屏观影的沉浸感，就入手了宏碁EV-S21T投影仪！效果很棒，在家也能体验到大 स्क्रीन电影院的感觉。非常推荐!
有5位网友表示赞同！
作为一款便携投影仪来说，宏碁EV-S21T还是蛮给力的，关键是体积小巧，携带方便。连接步骤简单，投影画面清晰，色彩饱和度不错。只是希望亮度能再高一点，晚上看电影感觉有点暗了！
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我之前看过很多宏碁EV-S21T的评价，说它很实用，我就想试试它的效果。现在用下来感觉还行，投影清晰，色彩还原度也不错。但我觉得声音没有那么大声，需要配合音响使用才能获得更好的体验。期待后续版本可以优化一下音质！
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宏碁EV-S21T投影仪真的很便宜，对比一些高价型号真的太值得买啦，价格友好，性能不错，适合预算有限的用户购买。不过我觉得有些功能不是很完善，希望厂家能加强开发!
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终于入手了宏碁EV-S21T投影仪！开机速度很快，操作简单方便。画面清晰度很高，颜色丰富。唯一美中不足的地方就是续航时间有点短，希望能改善一下。
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朋友家有个宏碁EV-S21T投影仪，感觉效果真的不错！很高清，画面亮丽。我当时就想入手一台用来看电影的，而且价格也很实惠，性价比很高!
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这款宏碁EV-S21T投影仪真的有点让我失望，虽然价格便宜，但画面质量其实一般般呐，分辨率不够高，画面有些模糊。而且自动调节功能效果也不理想！
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买宏碁EV-S21T投影仪是想用来看体育比赛的，结果发现亮度有点低啊！在白天看比赛的时候，画面就看不清了，晚上看勉强够用，但整体体验感觉一般般。
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虽然宏碁EV-S21T投影仪的功能挺简单的，没有很多高级功能，但是价格便宜实惠，对于日常播放一些电影或者视频还是完全足够的。总的来说是物有所值的入门款投影仪！
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买之前特意看了看评价，说宏碁EV-S21T挺好的，结果用下来发现真的超级好用！清晰度高，而且颜色很饱满，看东西真是一次愉快的体验!
有7位网友表示赞同！
我想要一台可以随时随地就能使用的投影仪，最后选择了这款宏碁EV-S21T。虽然体积小巧方便携带，但实际上功能也很强大，完全满足我的需求！
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买这个宏碁EV-S21T投影仪主要是想在家看电影的，对比以前用电脑显示器来看的感觉确实是大提升，画面更清晰、更宽广，观影体验明显好很多！
有18位网友表示赞同！